7月8日，希科半导体科技（苏州）有限公司自主研发的自动化传递多片晶圆转运装置、方法及气相沉积系统获得了国家知识产权局授权！
这是希科半导体科技（苏州）有限公司注重科技创新、不断加大科技投入、提升自身生产、研发能力和水平的一个缩影。
希科半导体科技（苏州）有限公司成立于2021年8月，坐落在纳米城Ⅲ区第三代半导体产业园（双灯路1号），是一家致力于发展第三代半导体碳化硅(SiC)材料的高科技公司。作为苏州国家第三代半导体创新中心重点引进的合作项目，团队拥有多年的碳化硅外延晶片(SiC Epitaxy)开发和量产制造经验，凭借业内最先进的外延工艺技术和最先进的测试表征设备，秉持质量第一诚信为本的理念为客户提供满足行业对低缺陷率和均匀性要求的6吋n型和p型掺杂外延晶片材料。
一直以来，希科半导体科技（苏州）有限公司坚持以科技创新为企业的发展动力，不断加大研发投入力度，积极寻求对外科研合作，大力培养学习型、知识型、创新型职工。同时，鼓励广大职工踊跃参与技术攻关和发明创造，推进科技创新成果推广应用，提高产品竞争力。
为提高技术人员的积极性，公司拟出台《研发项目管理制度》《创新成果及奖励办法》等相关规定，对获得发明专利、实用新型专利、外观专利、软件著作权等奖项的员工给予一定的物质奖励，营造了尊重劳动、尊重知识、尊重人才、尊重创造的良好氛围。
截止至目前为止希科半导体科技（苏州）有限公司已申请并获授权了3项发明专利（唯一发明人），另外还有7项专利（5项发明专利和项实用新型专利）正在申请授权中。
